金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“22206.一种高质量LED外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN119816016A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种高质量LED外延结构及其制备方法，通过新型成核层的设计，能够形成低密度、高质量的晶核，在随后的高压粗化层形成的晶粒密度会更低，晶粒的尺寸也比较大。后续晶粒与晶粒之间愈合的时间就变长，晶粒愈合间界处的位错密度会降低。3D起振初始阶段掺入AL，可以一定程度上抑制PSS非C面上的GaN生长，提升晶格质量；在成核层、粗化层阶段，倾向于3D的生长模式，降低V/III比、提高压力，有利于晶核晶粒长大，减少晶核的密度，可以降低见面愈合处的位错密度。在恢复层生长阶段，倾向于2D/3D混合的生长模式，升高温度、提高V/III比、降低压力有利于晶粒的愈合，使横向的生长速度大于垂直方向的生长速度。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息167条，此外企业还拥有行政许可31个。
本文源自：金融界
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